اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
Authors
Abstract:
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and Al. In doped films with Cu, Ag and Au, we found CdS peak shifts towards lower energies. Our aim was to uas a new and initiative method for temerature and impurities effects on CdS photoconductors.
similar resources
اثرهای ناخالصی برروی پهنای گاف انرژی، آشکار سازهای نوری (سولفید کادمیم)
سولفید کادمیم یکی از مهمترین نیمرساناهاست ، که در دمای اتاق، گاف انرژی آن 2/42 الکترون ولت می باشد. لایه های پربلورین سولفید کادمیم، برای سلولهای خورشیدی، لیزرها، ابزار نوری، مدارهای مجتمع غیرخطی کاربرد فراوانی دارد. با روشهای تبخیر حرارتی، تبخیر لحظه ای، رسوبگذاری فاز بخار، کندوپاشی فرکانس رادیویی و تبخیر بوسیله لیزر قابل ساخت می باشد. هدف اصلی، ساخت لایه های سولفید کادمیم با شفافیت زیاد، مقاو...
15 صفحه اولبررسی اثرات پتانسیلهای ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی
We investigate the effect of dipole-dipole and quadrapole- quadrapole interaction of a weakly interacting Bose gas near the transition temperature on the energy spectra of the thermal and condensate parts. We use the two fluid model and mean field approximation. We show that the effects of the condensate part on the shift of energy is greater than the case of contact potential
full textنانوساختارهای بینظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...
full textبررسی اثرات پتانسیل های ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی
اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...
full textMy Resources
Journal title
volume 3 issue 3
pages 247- 253
publication date 2002-12
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023